Транзисторы
На рис. 2 изображена зависимость проходного сечения канала полевого транзистора с p – n переходом от напряжения смещения между затвором и истоком (а) и истоком и стоком (б). Как видно из рис.26, а, увеличение
Затвор Сток
 | |||||||
 | |||||||
 | | ||||||
Область, обеднённая
носителями
Канал зарядов Канал
а б
Рис. 2. Зависимость профиля проходного сечения полевого транзистора с p – n переходом от напряжения смещения между затвором и истоком (а) и истоком и стоком (б)
Напряжения смещения перехода приводит к расширению области обеднённого слоя. Увеличение же напряжения питания, подаваемого между стоком и истоком, согласно рис.2, б, наоборот, сжимает её, делая клиновидной. И если первый фактор способствует уменьшению тока, то второй – его увеличению.
3,0 3,5 
I II 
III
2,5 3 
2,0 
2,5 Rc=0 Rc=5к
Rc=0 2
1.5 
Rc=5ком 1,5 Rc=15к
