gn1= 0.045

8.Определим ожидаемую погрешность величины сопротивления и сравним с заданным допуском.

, где gRk=0.01

gRрасч=0.072 <0.1

Ожидаемая погрешность величины сопротивления не превышает допустимую.

3.4 Расчет конденсаторов.

Рассчитаем конденсатор С=50пФ.

1.Выберем материал: моноокись германия (ЕТО.035.014 ТУ)

С0=5000 пФ/см2, e=11, Епр=106 В/см.

2.Рассчитаем площадь S.

S=0,01 см2=1 мм2

3.Определим минимально возможную толщину слоя диэлектрика.

dmin=2,1×10-5 см

4.Исходя из полученного значения толщины расчитаем удельную емкость конденсатора.

С0пр=0,0885×e/d

C0пр=4.636×104 пФ/см2

5.Определим максимально допустимую относительную погрешность площади конденсатора.

gS доп=14,142 %

6.Вычислим максимальную удельную емкость конденсатора С0 точн max по заданной точности. При kф. об2=1 формула для расчета имеет вид:

7.Окончательное значение С0 выбирается из условия:

C0£min{C0прmax,C0точнmax, C0техн}

C0=5000 пФ/см2

8.Определяем толщину диэлектрика с учетом выбранного C0:

d=0,0885×e/ С0=1,947×10-4 см

9.Определим рабочую площадь пленочного конденсатора:

S=C/C0=0,01 см2

10.Определим размеры верхней обкладки конденсатора:

11.Определим размеры нижней обкладки конденсатора:

L1=L2+2(dL+dly)=0,102 см

B1=B2+2(dB+dly)=0,102 см

12.Определим размеры диэлектрического слоя конденсатора:

LD=L1+2(dL+dly)=0,104 см

BD=B1+2(dB+dly)=0,104 см

13.Определим действительную погрешность конденсатора, определив предварительно gS:

gC<gСдоп Условие выполнено.

3.5Выбор контактных площадок.

Контактные площадки и контактные соединения будем выполнять методом фотолитографии.

Примем диаметр проволоки 0,04 мм, тогда размер контактной площадки 0,2´0,2, откуда SКП=0,04мм2

Для периферийных контактных площадок с шагом 0,625 мм размер контактных площадок 0,4´0,4 мм, SКП=0,16 мм2.

§4.Разработка топологии микросборки.

Расчет площади платы. Выбор типоразмера платы и типа корпуса.

После выбора материалов и геометрических размеров пленочных элементов для разработки топологии микросборки необходимо определить площадь платы. Ориентировочную площадь платы определим по формуле:

где qS=2,5 – коэффициент дезинтеграции по площади; SRi, SCi, SНКi, SКПi – площади i-х резисторов, конденсаторов, навесных компонентов и контактных площадок соответственно; n, m, k, l – число резисторов, конденсаторов, навесных компонентов и контактных площадок соответственно.

Sn=0.195 см2=19,5 мм2

Выберем типоразмер подложки 6´4 мм

§5. Расчет надежности по внезапным отказам.

Расчет надежности заключается в определении показателей надежности по известной надежности элементов и условиям эксплуатации.

Основными количественными характеристиками надежности являются вероятность безотказной работы РЭС P(t)=exp(-lэt) и среднее время наработки на отказ T=1/lэ, где t – время непрерывной работы изделия, lэ – эксплутационное значение интенсивности отказов РЭС.

lэi=ai×k1×k2×k3, где ai – поправочный коэффициент на температурную и электрическую нагрузку элемента, k1 – коэффициент, учитывающий влияние механических воздействий, k2 – учитывает воздушные климатические факторы, k3 – отражает условия работы при пониженном атмосферном давлении.

Для резисторов lэР=0,03×1,65×2,5×1×10-6=0,124×10-6

Для конденсаторов lэК=0,15×1,65×2,5×1×10-6=0,619×10-6

Для пайки печатного монтажа lэП=0,01×1,65×2,5×1×10-6=0,41×10-6

Для микросхемы lэТ=0,5×1,65×2,5×1×10-6=2,063×10-6

lэОбщ=0,124×10-6+0,619×10-6+0,41×10-6+2,063×10-6=

=3,216×10-6

Отсюда T=1/3,216×10-6=310000 ч.

310000>3000 - условие надежности выполняется.

§6. Схема технологического процесса.

1) Входной контроль материалов и компонентов.

2) Подготовка элементов к монтажу.

3) Приклеивание микросхемы.

4) Приваривание выводов.

5) Контроль внешнего вида.

6) Выходной контроль.

§7.Список использованной литературы.

1. “Конструирование и технология микросхем”, Москва “ Высшая школа”, 1984 г.

2. Методические указания к практическим занятиям по курсу ” Конструирование и технология микросхем и микропроцессоров”, Москва “МАИ” , 1990 г.