Безкорпусная герметизация полупроводниковых приборов
Рефераты >> Технология >> Безкорпусная герметизация полупроводниковых приборов

Синтетические цеолиты — высокоэффективные алюмосиликатные адсорбенты; в обезвоженном виде – пористые кристаллы с размерами около 1 мкм. Поры цеолитов представляют собой сферические полости с диаметром от 1,14 до 1,19 нм, соединённые между собой более узкими отверстиями , называемые окнами . Эффективные диаметры окон существенно отличаются в каждом типе цеолита и зависят от природы ионообменного катиона. Выпускаются пять марок цеолитав: КА, NaA, CaA, NaX и CaX, в которых эффективный диаметр окон соответственно равен 0,3;0,4;0,5;0,8;0,9 нм. Находящиеся в полостях цеолитов катионы создают в них области с неоднородными электростатическими полями, поэтому цеолиты особенно энергично адсорбируют электрически несимметричные молекулы воды, двуокиси углерода, метанола, а так же органических веществ.

Особенностью адсорбционных свойств пористых кристаллов цеолитов является молекулярно-ситовое действие; в первичной пористой структуре адсорбируются молекулы малых размеров, более крупные молекулы, для которых входы в полости через окна недоступны, не адсорбируются. Поэтому при использовании цеолитов необходимо учитывать органические адсорбируемости веществ за счёт молекулярно-ситового действия.

Кристаллы цеолитов микроскопических размеров в смеси с добавками 15–20% глины формируют в таблетки, гранулы или шарики различных размеров, которые для повышения механической прочности подвергают термической обработке в течение 2-6 часов при 550-600 С. Адсорбционные свойства формованных цеолитов по сравнению с кристаллическими обычно ниже на 20% в результате введения глины. Формованные цеолиты применяются для глубокой осушки и тонкой очистки газов и жидкостей. Основные свойства цеолитов приведены в таблице №1!

Характеристика

Марка цеолита

KA

NaK

CaA

NaX

CaX

Насыпная масса, г/см2

0,62

0,65

0,65

0,6

0,6

Механическая прочность на раздавливание, Н/м2

4×106

5×106

5×106

4×106

4×106

Водостойкость, мас. %

96

96

96

96

96

Динамическая активность по парам воды, мг/см3, для таблеток диаметров, мм:

         

4,5

62

90

72

95

90

3,6

70

10

80

100

95

2,0

85

12

95

105

100

Динамическая активность по углекислому газу, мг/см3

2,0

Динамическая активность по парам бензола, мг/см3, для таблеток диаметром, мм:

         

4,5

52

52

3,6

65

62

2,0

68

65

Потери при прокаливании, мас. %

5

5

5

5

5

Защита p-n-переходов плёнками окислов металлов.

В полупроводниковой технологии для защиты кристаллов с p-n-переходами применяются плёнки на основе окисей металлов: алюминия, титана, бериллия, циркония. Исходный материал берут в виде порошка, а в качестве несущего агента может быть использован галоген или галоидное соединение водорода. Через рабочую камеру пропускают инертный газ и устанавливают перепад температур между источником защитного материала и полупроводниковым кристаллом. Температура источника должна быть выше температуры кристаллов, причём с увеличением разницы температуры скорость реакции повышается.

Для осаждения защитных плёнок Al203, BeO, TiO2, ZnO2 температуру источника выбирают в диапазоне 800–1200 С, кристаллов – в диапазоне 400–800 С, а расстояние между ними устанавливается в зависимости от требуемой разницы температур (от 10 до 15 см) В таблице 2! приведены режимы осаждения защитных плёнок окислов металлов.

Таблица 2

Материал источника

Несущий агент

Температура источника, 0С

Температура кристаллов, 0С

Al2O3

HCl(HBr)

800–1000

400–700

BeO

HCl(HBr)

900–1200

500–750

TiO2

HCl(HBr,Cl2)

800–1000

500–700

ZnO2

HCl(HBr)

1000–1200

500–800


Страница: