Наилучшими материалами для изготовления туннельных диодов, обладающих низкими собственными шумами, являют­ся сурьмянистый галлий GaSb, антимонид индия InSb, apceнид индия InAs. Так как малая ширина запрещенной зоны InSb и InAs для нормальной работы туннельных диодов на их основе требует низких температур, то наиболее подходя­щим из них будет сурьмянистый галлий.

Вообще «универсального» материала, изготовленные из ко­торого туннельные диоды обладали бы всеми оптимальными параметрами, не существует. Разделение областей применения туннельных диодов требует и дифференцирования в выборе материалов. В каждом случае примененный материал будет определять потенциальные возможности туннельного диода для соответствующей конкретной сферы использования при­бора.

Поэтому интенсивное изучение новых полупроводнико­вых материалов приведет к дальнейшему улучшению парамет­ров туннельных диодов, изготавливаемых из них.

Использованная литература.

1. “Туннельные диоды и их применение”, Р.В. Гострем, Г.С. Зиновьев, Новосибирск 1964

2. “Полупроводниковые диоды. Параметры, методы измерений”, под ред. Н.Н. Горюнова, Ю.Р. Носова, изд. «Совестское радио», 1968

3. “Радиотехнические схемы на транзисторах и туннельных диодах”, под ред. Р.А. Валитова, М., «Связь», 1972

4. “Импульсные преобразователи и стабилизаторы постоянного напряжения”, Ф.И. Александров и А.Р. Сиваков, изд. «Энергия» Ленинградское отделение, 1970

5. “Физика полупроводниковых приборов”, Г.А. Розман, Псков 1994.

6. “Полупроводниковые приборы” − http://www.st.karelia.ru/edu/diod/stabil.htm